Alpha & Omega Semiconductor ha annunciato il rilascio del MOSFET di potenza da 80 V che utilizza la tecnologia brevettata Shield Gate ottimizzata per frequenze di commutazione più elevate utilizzate nelle telecomunicazioni e nell’alimentazione dei server per ottenere una maggiore efficienza rispetto alòa precedente generazione.
Il MOSFET di potenza da 80 V ha perdite di commutazione inferiori in hard switching, topologie e ha meno sovratensione rispetto alla generazione precedente.
Questo miglioramento delle prestazioni dal funzionamento a carico leggero e in tutto l’intervallo di carico si traduce in scelte progettuali più semplici per applicazioni ad alta efficienza.
La famiglia di dispositivi MOSFET da 80V offre i più alti livelli di densità di potenza ed efficienza energetica, che sono essenziali nel solare, negli alimentatori e nell’alimentazione a batteria come negli eScooter.
L’AONR66820 e l’AONS66811 sono MOSFET di potenza in package, rispettivamente, DFN3.3×3.3 e DFN 5×6,
L’AONR66820 è perfettamente adatto per convertitori DC-DC isolati utilizzati nelle applicazioni di telecomunicazione.
L’AONS66811 è appropriato per rettifica sincrona e fornisce una migliore carica di recupero inverso e una riduzione della sovratensione, che fornisce una maggiore efficienza e più robustezza all’alimentatore.
L’AOTL66810 (80V) ha un package TOLL con un ingombro inferiore di circa il 25% rispetto a un TO-263 a filo metallico standard (D2PAK).
Questo nuovo dispositivo offre una densità di potenza maggiore rispetto alle soluzioni esistenti.
Inoltre, è ideale per applicazioni per motori BLDC industriali e gestione della batteria per ridurre il numero di MOSFET in parallelo.
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“Con il significativo miglioramento delle prestazioni con la tecnologia a clip in un robusto package TOLL, consente una densità di corrente più elevata e maggiore capacità di corrente. L’AOTL66810 semplifica i nuovi progetti per consentire risparmi sui costi complessivi del sistema grazie a un numero ridotto di dispositivi in parallelo. Il package TOLL di AOS è più adatto per applicazioni ad alta potenza“, ha affermato Peter H. Wilson, Director of LV/MV MOSFET di AOS.
