Toshiba Electronics Europe ha lanciato due nuovi MOSFET a canale N da 80V fabbricati nel processo di ultima generazione U-MOSX-H dell’azienda. Entrambi i dispositivi sono adatti a un’ampia gamma di applicazioni di alimentazione in cui è essenziale garantire perdite minime durante il funzionamento. Queste ultime includono la conversione AC-DC e DC-DC ad alta efficienza nei data center e nelle stazioni base di comunicazione e un’ampia gamma di soluzioni per l’azionamento dei motori.
Entrambi i MOSFET, siglati TPH2R408QM e TPN19008QM, sono fabbricati in processo U-MOSX-H da 80V, il quale offre una riduzione di circa il 40% della resistenza di on al drain-source (RDS(ON)) rispetto ai prodotti da 80V corrispondenti realizzati in processi di generazione precedente come U-MOSVIII-H. Di conseguenza, il TPN19008QM presenta un valore di RDS(ON) di 19mΩ (massimi), mentre il valore di RDS(ON) del TPH2R408QM è di appena 2,43 mΩ.
L’ottimizzazione della struttura del dispositivo ha migliorato il compromesso tra il valore di RDS(ON) e le caratteristiche di carica del gate anche del 15% e il compromesso tra RDS(ON) e la carica in uscita del 31%. Combinando questi risultati con la riduzione della RDS(ON), si ottiene con i nuovi dispositivi la dissipazione di potenza più bassa nel settore.
Entrambi i dispositivi sono alloggiati in package a montaggio superficiale e presentano una tensione di drain source (VDSS) massima di 80V. Possono operare con temperature di canale (Tch) fino a 175oC. Il TPN19008QM è caratterizzato da una corrente di drain (ID) di 34A ed è alloggiato in un package TSON avanzato da 3,3 x 3,3 mm mentre il TPH2R408QM offre una ID di 120A ed è alloggiato in un package SOP avanzato da 5 x 6 mm.
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