Primo MOSFET a canale N da 30V per applicazioni mobili e USB

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Primo MOSFET a canale N da 30V per applicazioni mobili e USB
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Toshiba Electronics Europe ha recentemente lanciato un prodotto rivoluzionario nel campo dell’elettronica: il primo MOSFET a drain comune a canale N da 30V, denominato SSM10N961L.

Questo dispositivo non solo offre un funzionamento a basse perdite, ma è anche specificamente progettato per applicazioni con interfacce USB, estendendo la sua utilità alla protezione dei pacchi batteria nelle applicazioni mobili.

Standard USB e alimentazione bidirezionale

L’importanza delle interfacce USB nel mondo tecnologico è in crescita, e con essa la necessità di componenti che supportino standard elevati come l‘USB Power Delivery (USB PD).

Questo standard permette lo scambio di alimentazione e ricezione, richiedendo dispositivi con capacità di ricarica USB e supporto per l’alimentazione bidirezionale, una caratteristica chiave del nuovo MOSFET SSM10N961L di Toshiba.

Dalla protezione batterie alla versatilità di applicazione

I precedenti MOSFET a drain comune a canale N di Toshiba erano focalizzati su prodotti a 12V, principalmente per la protezione dei pacchi batterie agli ioni di litio negli smartphone.

Il nuovo MOSFET da 30V amplia questo campo di applicazione, rendendosi adatto per dispositivi che richiedono tensioni superiori a 12V, come i dispositivi di ricarica USB e la protezione delle batterie agli ioni di litio in apparecchi alimentati a batteria.

Caratteristiche tecniche e innovazioni

Il MOSFET SSM10N961L unisce due canali N in una configurazione a drain comune, permettendo un funzionamento bidirezionale.

Con una tensione di rottura sorgente-sorgente di 30V e una resistenza di on sorgente-sorgente di soli 9,9mΩ, il dispositivo è ideale per applicazioni a tensione elevata, come quelle presenti nei laptop e tablet.

La sua capacità di gestione della potenza è notevole, nonostante le sue dimensioni ridotte, che lo rendono adatto per soluzioni ad alta densità.

Applicazioni e sviluppi futuri

Combinando il MOSFET SSM10N961L con un driver TCK42xG, si possono creare circuiti di commutazione del carico con funzioni avanzate, come la prevenzione del riflusso o la commutazione tra funzioni Make-Before-Break e Break-Before-Make.

Toshiba ha anche introdotto un circuito Multiplexer di potenza come progetto di riferimento, dimostrando l’efficacia e la versatilità del nuovo dispositivo nel semplificare i processi di sviluppo e ridurre i tempi di realizzazione.

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