Nexperia, leader nel settore dei semiconduttori, ha recentemente annunciato il lancio dei suoi primi MOSFET in carburo di silicio (SiC).
Questi dispositivi da 1200 V, disponibili in due varianti con valori RDS(on) di 40 mΩ e 80 mΩ, rappresentano un passo avanti significativo per il power switching sicuro, robusto e affidabile nelle applicazioni industriali.
I modelli NSF040120L3A0 e NSF080120L3A0 sono solo l’inizio di una serie di rilasci pianificati che amplieranno rapidamente il portfolio di MOSFET SiC di Nexperia, offrendo una varietà di valori RDS(on) in diversi formati di packaging.
Applicazioni e utilizzo
I nuovi MOSFET SiC di Nexperia sono ottimizzati per applicazioni industriali ad alte prestazioni, come le colonnine di ricarica per veicoli elettrici (EV), i sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS) e gli inverter per sistemi solari e di accumulo energetico (ESS).
La collaborazione con Mitsubishi Electric ha permesso di sviluppare dispositivi che offrono prestazioni di classe leader in termini di stabilità di RDS(on) a temperature elevate, bassa caduta di tensione del diodo di corpo e specifiche strette della tensione di soglia, garantendo sicurezza contro l’attivazione parassitaria.
Caratteristiche tecniche
I MOSFET SiC di Nexperia si distinguono per la loro stabilità termica eccezionale, con un incremento nominale del valore RDS(on) di solo il 38% in un intervallo di temperatura operativa da 25°C a 175°C.
Inoltre, presentano una carica totale del gate (QG) molto bassa, che si traduce in minori perdite di guida del gate.
Un rapporto eccezionalmente basso di QGD a QGS aumenta l’immunità del dispositivo contro l’attivazione parassitaria.
Queste caratteristiche, insieme alla bassa tensione in avanti della diodo di corpo (VSD), aumentano la robustezza e l’efficienza dei MOSFET SiC di Nexperia, facilitando anche l’operazione di rettificazione asincrona.
