Analog Devices propone un driver GaN half-bridge da 100 V che semplifica l’implementazione dei FET GaN, garantendo un controllo robusto del gate, una commutazione ad alta frequenza e una maggiore efficienza del sistema.
Integrando i driver stage superiore e inferiore, il controllo della logica di drive e le protezioni, il nuovo LT8418 può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e buck-boost.
Il dispositivo offre una forte capacità di sourcing/sinking di corrente con una resistenza di pull-up da 0,6Ω e di pull-down da 0,2Ω per pilotare una varietà di FET GaN.
Inoltre, integra uno smart switch di bootstrap per generare una tensione di bootstrap bilanciata da VCC con una tensione di dropout minima.
L’LT8418 fornisce split gate drivers per regolare le velocità di risposta nell’accensione e spegnimento dei FET GaN per sopprimere il ringing e ottimizzare le prestazioni EMI.
Tutti gli ingressi e le uscite del driver hanno un low-state predefinito per evitare false accensioni dei FET GaN.
Gli ingressi PWM (Pulse-width modulation) dell’LT8418, INT e INB, sono indipendenti e compatibili con la logica TTL per un controllo preciso.
L’LT8418 opera con un delay di propagazione di 10ns e mantiene una delay matching di 1,5ns tra i canali superiore e inferiore, il che lo rende adatto ai convertitori DC-DC ad alta frequenza, ai driver dei motori e agli amplificatori audio di classe-D.
Inoltre, l’LT8418 utilizza il package WLCSP per ridurre al minimo l’induttanza parassita, consentendo un ampio utilizzo in applicazioni ad alte prestazioni e ad alta densità di potenza.
Specifiche del prodotto
- Split gate driver con pullup da 0,6Ω e pulldown da 0,2Ω per un comportamento on/off regolabile
- Capacità di corrente di picco di 4A per la sorgente e 8A per il sink
- Delay di propagazione ridotto: 10ns tipici
- Delay matching di propagazione: 1,5ns tipico
- Elevato dv/dt immune fino a 50V/ns
- Protezioni di blocco da sottotensione (VCC e BST) e sovratensione (VCC)
- Smart switch di bootstrap integrato regola la tensione di pilotaggio del gate HS per operare entro la SOA dei FET GaN
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