WeEn Semiconductors ha presentato nuove famiglie di MOSFET e diodi a barriera Schottky (SBD) in carburo di silicio (SiC) con packaging TSPAK.
I nuovi dispositivi TSPAK MOSFET e SBD di WeEn Semiconductor rispondono alla richiesta di una gestione dell’alimentazione ad alte prestazioni, compatta e affidabile in applicazioni che vanno dalla ricarica di autoveicoli e caricabatterie di bordo agli inverter fotovoltaici e agli alimentatori ad alta densità di potenza (PSU).
Offrendo una varietà di opzioni di configurazione per la massima flessibilità di progettazione, i nuovi moduli SiC sono ideali per applicazioni quali la ricarica dei veicoli elettrici, i sistemi di accumulo di energia, gli inverter fotovoltaici, gli azionamenti dei motori, gli alimentatori industriali e la strumentazione di test.
Originariamente sviluppati per applicazioni automotive, i dispositivi TSPAK combinano un’innovativa capacità di raffreddamento top-side con una bassa impedenza termica per offrire prestazioni termiche migliorate.
Eliminando la resistenza termica del PCB dal percorso di dissipazione termica, la resistenza termica giunzione-ambiente migliora del 16-19%.
Ciò favorisce un’elevata affidabilità, consentendo un numero maggiore di cicli di alimentazione rispetto al packaging convenzionale e fornendo le maggiori densità di potenza richieste dai progetti di sistemi compatti.
La bassa induttanza del circuito e il basso rumore EMC contribuiscono a migliorare le prestazioni e a ridurre i requisiti di filtraggio.
La famiglia di MOSFET TSPAK di WeEn Semiconductors presenta opzioni da 650V, 750V e 1200V con resistenze che vanno da 12mΩ a 150mΩ.
I TSPAK SBD sono disponibili con correnti nominali da 10 a 40A nelle varianti da 650V, 750V e 1200V.
Con un’ampia gamma di opzioni topologiche, tra cui le configurazioni half-bridge, four-pack, six-pack e MPPT booster, i moduli di potenza supportano tensioni comprese tra 650V e 1200V.
A seconda dell’opzione scelta e dei progetti speciali, i moduli incorporano una serie di caratteristiche avanzate, tra cui la condivisione sincronizzata della corrente del chip, i sensori di temperatura integrati, le strutture di raffreddamento sul lato superiore e le più recenti tecnologie clip-bond.
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