Nexperia amplia il suo portafoglio di “ASFET per Hotswap e Soft Start” con l’introduzione di 10 nuovi dispositivi completamente ottimizzati da 25 V e 30 V, che combinano performance SOA (safe operating area) migliorata con RDS(on) estremamente basso, che li rende ideali per l’uso in applicazioni hotswap a 12 V, inclusi server di data center e apparecchiature di comunicazione.
Per diversi anni, Nexperia ha unito la comprovata esperienza nei MOSFET e un’ampia comprensione delle applicazioni per sviluppare ASFET leader di mercato, dispositivi in cui le caratteristiche prestazionali critiche dei MOSFET sono migliorate per soddisfare i requisiti di particolari applicazioni.
Dal lancio degli ASFET, il successo è stato registrato con prodotti ottimizzati per l’isolamento della batteria, il controllo motore DC, Power-over-Ethernet, airbag automotive e altro ancora.
Le correnti di spunto possono rappresentare una sfida per l’affidabilità nelle applicazioni hotswap.
Nexperia ha affrontato questo problema progettando un portafoglio di “ASFET per Hotswap e Soft Start con SOA potenziato” che sono completamente ottimizzati per tali applicazioni.
L’ASFET PSMNR67-30YLE offre SOA 2,2 volte più potente (12 V a 100 mS) rispetto alle tecnologie precedenti, pur avendo un RDS(on) (max) di appena 0,7 mΩ.
L’effetto Spirito (rappresentato dalla pendenza verso il basso più ripida riscontrata sulle curve SOA a tensioni più elevate) è stato eliminato, mentre le prestazioni eccezionali vengono mantenute nell’intero intervallo di tensione e temperatura (rispetto ai dispositivi non ottimizzati)
Nexperia supporta ulteriormente i progettisti eliminando la necessità di declassare termicamente i progetti, caratterizzando completamente questi nuovi dispositivi a 125 °C e fornendo su datasheet le curve SOA a caldo.
Con otto nuovi dispositivi (tre da 25 V e cinque da 30 V) disponibili tra una scelta di package LFPAK56 e LFPAK56E con RDS(on) che vanno da 0,7 mΩ a 2 mΩ, viene affrontata la maggior parte delle applicazioni hotswap e soft start.
Due ulteriori prodotti da 25 V (che avranno un RDS(on) ancora più basso di 0,5 mΩ) sono previsti nei prossimi mesi.
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