Rivoluzionari interruttori BiGaN per la gestione della potenza
Questo articolo presenta la struttura innovativa del dispositivo BiGaN, illustra le prestazioni dei dispositivi BiGaN e analizza diverse configurazioni di driver per BiGaN.
Il blocco della tensione e la conduzione della corrente bidirezionali sono funzioni...
Gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V
Innoscience Technology ha annunciato il lancio di una gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”).
Nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600...
Dispositivi GaN: esordio europeo per Innoscience
Innoscience esordisce in Europa al PCIM Europe come ‘il più grande produttore mondiale di dispositivi “GaN on Si” da 8 pollici’
