Power Integrations ha lanciato un nuovo modello della famiglia InnoMux-2 di circuito integrato di commutazione al GaN per alimentatori offline multiuscita regolati indipendentemente, monostadio.
Il nuovo dispositivo è dotato del primo interruttore al nitruro di gallio da 1700 V del settore, fabbricato impiegando la tecnologia proprietaria PowiGaN sviluppata da Power Integrations.
La tensione nominale di 1700 V porta avanti lo stato dell’arte per i dispositivi di alimentazione al GaN, già definito dai dispositivi Power Integrations da 900 V e 1250 V, entrambi lanciati nel 2023.
Il circuito integrato di commutazione al GaN InnoMux-2 da 1700 V supporta facilmente una tensione d’ingresso nominale di 1000 V DC in una configurazione flyback e consegue un’efficienza superiore al 90% in applicazioni che richiedono una, due o tre tensioni di alimentazione.
Ciascuna uscita è regolata entro l’1% di precisione, eliminando la necessità di post-regolatori e migliorando ulteriormente l’efficienza del sistema di circa il 10%.
Il nuovo dispositivo sostituisce i costosi transistor al carburo di silicio (SiC) in alimentatori per molteplici tipologie d’uso quali caricabatteria nel settore automotive, inverter per impianti fotovoltaici, contatori trifase e una vasta gamma di sistemi di alimentazione industriali.
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Spiega Radu Barsan, vicepresidente tecnologia presso Power Integrations: “La nostra rapidità nello sviluppo di dispositivi al GaN ci ha permesso di offrire tre tensioni nominali prime sulla scena mondiale in un arco di meno di due anni: 900 V, 1250 V e ora 1700 V. I nuovi circuiti integrati InnoMux-2 combinano la tecnologia del GaN per ottenere 1700 V con tre altre innovazioni recenti: regolazione multiuscita, precisa, indipendente; FluxLink, la nostra tecnologia di comunicazioni a isolamento digitale con regolazione al secondario (SSR); e la commutazione a tensione nulla (ZVS) senza un circuito di clamping attivo, eliminando quasi del tutto le perdite di commutazione”.
“Per quanto ci consta, il valore nominale di 1700 V è sostanzialmente superiore rispetto a qualsiasi altro dispositivo HEMT al GaN reperibile in commercio”, commenta Ezgi Dogmus, responsabile attività semiconduttori composti presso Yole Group. “Si prevede che il mercato dei dispositivi al GaN di potenza raggiungerà il valore di 2 miliardi di dollari entro la fine del decennio, espandendosi in vari spazi applicativi con vantaggi riguardo ai costi dei dispositivi al SiC che potrebbero risultare molto interessanti”.
