Toshiba Electronics Europe annuncia la disponibilità di due nuovi MOSFET a canale P da -60V basati sul processo U-MOS VI dell’azienda.
Si amplierà così la gamma di dispositivi adatti per l’impiego in applicazioni automotive, come gli interruttori di carico, i relè a semiconduttore e gli azionamenti per motori.
I nuovi MOSFET XPH8R316MC e XPH13016MC sono già qualificati in conformità allo standard AEC-Q101 per l’affidabilità automotive.
Come parte di ciò, sono alloggiati in un package SOP Advance (WF), a montaggio superficiale con una struttura terminale laterale bagnabile.
Questo facilita l’ispezione ottica automatizzata (AOI) dei giunti di saldatura, fondamentale per l’affidabilità in ambienti automotive difficili.
Un ulteriore vantaggio è dato dalle connessioni in rame all’interno del package, che ne riducono la resistenza, migliorano l’efficienza e riducono l’accumulo di calore.
Il MOSFET XPH8R316MC è caratterizzato da una corrente di drain continua di -90A (ID) e l’XPH13016MC è classificato per una ID di -60A.
La corrente di drain pulsata (IDP) è il doppio di questi valori, rispettivamente -180A e -120A.
Entrambi i dispositivi supportano una tensione drain-source (VDSS) di -60V e sono in grado di funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 175ºC.
La massima resistenza di On al drain-source (RDS(ON)) dell’XPH8R316MC è di 8,3mΩ, che è inferiore di circa il 25% rispetto all’attuale TPCA8123 di Toshiba.
Per il MOSFET XPH13016MC, il valore è 12,9mΩ, circa il 49% in meno rispetto al TPCA8125.
Questi valori estremamente ridotti di RDS(ON) contribuiscono in modo significativo a ridurre il consumo energetico nelle applicazioni automotive.
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