EPC, distribuito da Melchioni Electronics, ha annunciato la disponibilità della scheda EPC9176, un inverter trifase per motori BLDC che utilizza i circuiti integratati in nitruro di gallio (GaN) EPC23102 ePower Stage con funzione di pilotaggio del gate integrata e due transistor FET in GaN con una resistenza di conduzione RDS(on) tipica di 5,2 mΩ.
La scheda dimostrativa per inverter EPC9176 funziona con una tensione di alimentazione in ingresso compresa tra 20 V e 80 V e può erogare fino a 28 Apk (20 ARMS).
Questi intervalli di tensione e livelli di potenza la rendono una soluzione ideale per tutta una serie di applicazioni di azionamento di motori BLDC trifase con ingresso da 36 V a 80 V, tra cui eBike, eScooter, utensili elettrici, droni, robot, servoazionamenti per motori DC, robot medicali e automazione di fabbrica.
L’utilizzo del dispositivo integrato con tecnologia GaN-on-silicon EPC23102 permette di ottenere prestazioni più elevate in una soluzione dall’ingombro ridotto, con requisiti di progettazione significativamente semplificati che velocizzano il time-to-market.
Il circuito integrato EPC23102 è uno stadio di potenza completo a tensione nominale di 100 V che comprende i FET del mezzo ponte, il driver, il traslatore di livello e il caricatore per lo stadio bootstrap sincrono, che è dotato di un pin di abilitazione per offrire un funzionamento a bassa corrente di quiescenza in modalità disabilitata e una polarizzazione a 5 V.
La scheda EPC9176 può essere abbinata ad un vasto assortimento di controllori compatibili, supportati da vari produttori che sfruttano le risorse esistenti per semplificare lo sviluppo e ridurre i tempi del ciclo di progettazione.
EPC offre schede di interfaccia (EPC9147X) per far funzionare questo progetto di riferimento di inverter con i motori più comuni.
La scheda EPC9176 contiene tutti i circuiti delle funzioni critiche necessarie per supportare un inverter completo per l’azionamento di un motore elettrico, compresi i gate driver, le linee di alimentazione ausiliarie regolate per le funzioni di supporto, il rilevamento della tensione e della temperatura, il rilevamento accurato della corrente e le funzioni di protezione.
I progettisti interessati a sostituire i loro transistor MOSFET al silicio con una soluzione basata su dispositivi in GaN possono utilizzare lo strumento (Clicca qui) di ricerca online GaN Power Bench di EPC per trovare un componente sostitutivo suggerito in base alle loro condizioni operative specifiche.
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“I progettisti possono utilizzare i circuiti integrati in GaN per realizzare azionamenti per motori alimentati a batteria più leggeri ed efficienti per un’ampia gamma di applicazioni di mobilità elettrica e robotica“, ha dichiarato Alex Lidow, CEO di EPC. “I dispositivi elettronici in nitruro di gallio consentono di realizzare sistemi di azionamento dei motori più piccoli, più leggeri e meno rumorosi, che garantiscono una coppia maggiore, un’autonomia più ampia e una maggiore precisione, migliorando al contempo le interferenze elettromagnetiche (EMI), riducendo la necessità di filtraggio EMI e il numero di condensatori necessari, oltre a eliminare la necessità di inserire condensatori elettrolitici e induttori di filtro in ingresso“.
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