MOS distribuisce i prodotti di Wuxi Leapers Semiconductor, un’azienda specializzata nel design, produzione e vendita di moduli di potenza altamente performanti, SIC e IGBT.
Leapers è specializzata nella progettazione di dispositivi e processi wafer (wafer process and device design), nel design dei case dei moduli, nell’applicazione prodotto, nel marketing e nel funzionamento del prodotto.
L’azienda possiede tecnologie di auto innovazione e brevetti per i materiali di confezionamento, design degli imballaggi, processo di confezionamento, prodotti con alte performance, elevata affidabilità, qualità e altri vantaggi.
I suoi prodotti vengono utilizzati principalmente per Inverter xEV, fuel cell DC DC, compressore elettrico per aria condizionata, pila di ricarica DC ad alta corrente, fotovoltaico, stoccaggio di energia, alta industria ed altre applicazioni.
Sia i SiC MOSFET, che gli IGBT sono realizzabili con diversi case, sono altamente performanti e con sensori di temperatura integrati.
Possono essere utilizzati per diverse applicazioni, dal power supply, alle energie rinnovabili come solare ed eolico, alle ricariche veloci e EV charging, allo stoccaggio di energia.
Ad esempio, l’HDP module ha la struttura del circuito è Full Bridge. Integra un chip MOSFET SiC ad alte prestazioni e dispone di un sensore di temperatura integrato, il tutto in confezione compatta 126,5 x 154,5 x 32 mm. Alcune caratteristiche dell’HDP module: temperatura massima di giunzione 175°C, tecnologia Arcbonding, substrato Si3N4 AMB e tecnologia Ag-Sintering.
Oppure, l’ED3 module è un SiC MOSFET con la struttura del circuito Half Bridge. Integra chip SiC MOSFET e SiC SBD ad alte prestazioni e sensore di temperatura integrato. Le dimensioni del package sono: 62,5 x 152 x 20,5 mm. Altre caratteristiche: temperatura massima di giunzione 175°C, voltaggio di blocco 1200 V e 1400 V e 1700 V e 2200 V, substrato Si3N4 AMB e basse perdite di commutazione.
Esiste anche la versione IGBT dell’ED3 module con la struttura del circuito Half Bridge. Integra un chip IGBT ad alte prestazioni e dispone di un sensore di temperatura integrato. Le dimensioni del package sono: 62,5 x 152 x 20,5 mm. Altre caratteristiche: temperatura massima di giunzione 150°C, voltaggio di blocco 1200 V e 1700 V, bassa tensione di saturazione VCE(sat) ed elevata affidabilità.
Per esempio, nel mercato dell’automotive, la potenza di uscita massima del modulo SIC può raggiungere 400kW, la densità di corrente è 30% superiore a quella di livello industriale e i prodotti hanno superato il test di affidabilità AQG324.
Al momento, i moduli SIC e IGBT sono stati prodotti in mass production e hanno ottenuto numerosi ordini in serie da parte di molti clienti in diversi Paesi.
La capacità annuale totale di confezionamento e test delle linee produttive a Wuxi e in Giappone supera le 700.000 unità.
