Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V che utilizza il processo U-MOSX-H di ultima generazione per ridurre significativamente le perdite.
Inoltre, sono stati ridotti i picchi di tensione tra drain e source in fase di commutazione, con un conseguente miglioramento delle prestazioni EMI negli alimentatori a commutazione.
Il nuovo dispositivo si presta per un’ampia gamma di applicazioni, che includono gli alimentatori a commutazione all’interno di apparecchiature industriali, comprese le applicazioni nelle stazioni base per le comunicazioni e nei data center.
Il nuovo MOSFET TPH9R00CQH presenta una resistenza di on al drain-source (RDS(ON)) molto bassa, pari ad appena 9,0mΩ (max. @ VGS=10V).
Ciò rappresenta una riduzione di circa il 42% rispetto al prodotto esistente da 150V (TPH1500CNH) basato sul processo U-MOSVIII-H di ultima generazione.
Le principali figure di merito (FoM), che includono RDS(ON) x QSW e RDS(ON) x QOSS, sono state ridotte rispettivamente di circa il 20% e il 28%, migliorando così ulteriormente le prestazioni.
Le caratteristiche di carica sono state migliorate attraverso un’attenta ottimizzazione della struttura del dispositivo.
Con una carica totale di gate (Qg) di soli 44nC e una carica immagazzinata nel gate (QSW) di 11,7nC, il dispositivo offre prestazioni eccellenti, soprattutto nelle applicazioni ad alta velocità.
Il nuovo TPH9R00CQH offre due opzioni di package a montaggio superficiale (SMD): SOP Advance (5,0 x 6,0 mm) e SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm), che possono essere selezionate per soddisfare le esigenze di qualsiasi applicazione.
